SI4936BDY-T1-GE3 on vanhentunut, eikä sitä enää valmisteta.
Saatavana olevat korvaavat osat:

Samankaltainen


Rohm Semiconductor
Varastossa: 0
Yksikköhinta : 0,35218 €
Tekniset tiedot

Samankaltainen


Rohm Semiconductor
Varastossa: 1 891
Yksikköhinta : 2,33000 €
Tekniset tiedot

Samankaltainen


Diodes Incorporated
Varastossa: 1 913
Yksikköhinta : 1,50000 €
Tekniset tiedot
SI9407BDY-T1-GE3
Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SI4936BDY-T1-GE3

DigiKeyn tuotenumero
SI4936BDY-T1-GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR)
SI4936BDY-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT)
SI4936BDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja
Valmistajan tuotenumero
SI4936BDY-T1-GE3
Kuvaus
MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOIC
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus
MOSFETit - ryhmät 30V 6,9A 2,8W Kiinnitys pintaan 8-SOIC
Tekniset tiedot
 Tekniset tiedot
Tuotteen ominaisuudet
Tyyppi
Kuvaus
Valitse kaikki
Kategoria
Valmistaja
Vishay Siliconix
Sarja
Pakkaustapa
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Osan tila
Vanhentunut
Teknologia
MOSFET (metallioksidi)
Konfiguraatio
2 N-kanavaa (kaksinkertainen)
FET-ominaisuus
Logiikkatasoportti
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)
30V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C
6,9A
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
35mOhm @ 5,9A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id
3V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs
15nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds
530pF @ 15V
Teho - maksimi
2,8W
Toimintalämpötila
-55°C – 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Kiinnitys pintaan
Pakkaus / kotelo
8-SOIC (0,154", 3,90mm leveys)
Valmistajan laitepakkaus
8-SOIC
Päätuotenumero
Tuotteita koskevat kysymykset ja vastaukset

Katso, mitä suunnittelijat kysyvät, tee kysymyksiä ja auta toisia DigiKeyn suunnitteluyhteisössä

Vanhentunut
Tätä tuotetta ei enää valmisteta. Näytä Korvaavat osat.