Name: SI4100DY-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4100DY-T1-E3TR-ND
Price: 1.74445 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SI4100DY-T1-E3
DigiKeyn tuotenumero	SI4100DY-T1-E3TR-ND - Rullattu teippi (TR) SI4100DY-T1-E3CT-ND - Cut Tape (CT) SI4100DY-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SI4100DY-T1-E3
Kuvaus	MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO
Valmistajan vakio toimitusaika	20 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 100 V 6,8A (Tc) 2,5W (Ta), 6W (Tc) Kiinnitys pintaan 8-SOIC
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	SI4100DY-T1-E3 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Vishay Siliconix
Sarja	TrenchFET®
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	100 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	6,8A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	6V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	63mOhm @ 4,4A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4,5V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	20 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	600 pF @ 50 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	2,5W (Ta), 6W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	8-SOIC
Pakkaus / kotelo	8-SOIC (0,154", 3,90mm leveys)
Päätuotenumero	SI4100