SI2337DS-T1-E3 on vanhentunut, eikä sitä enää valmisteta.
Saatavana olevat korvaavat osat:

MFR Recommended


Vishay Siliconix
Varastossa: 0
Yksikköhinta : 0,74000 €
Tekniset tiedot

Samankaltainen


Rohm Semiconductor
Varastossa: 9 003
Yksikköhinta : 0,95000 €
Tekniset tiedot

Samankaltainen


Rohm Semiconductor
Varastossa: 5 247
Yksikköhinta : 0,76000 €
Tekniset tiedot
P-kanava 80 V 2,2A (Tc) 760mW (Ta), 2,5W (Tc) Kiinnitys pintaan SOT-23-3 (TO-236)
Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SI2337DS-T1-E3

DigiKeyn tuotenumero
SI2337DS-T1-E3TR-ND - Rullattu teippi (TR)
SI2337DS-T1-E3CT-ND - Cut Tape (CT)
SI2337DS-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja
Valmistajan tuotenumero
SI2337DS-T1-E3
Kuvaus
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus
P-kanava 80 V 2,2A (Tc) 760mW (Ta), 2,5W (Tc) Kiinnitys pintaan SOT-23-3 (TO-236)
Tekniset tiedot
 Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit
SI2337DS-T1-E3 -mallit
Tuotteen ominaisuudet
Tyyppi
Kuvaus
Valitse kaikki
Kategoria
Valm.
Sarja
Pakkaustapa
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Osan tila
Vanhentunut
FET-tyyppi
Teknologia
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)
80 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)
6V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
270mOhm @ 1,2A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id
4V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds
500 pF @ 40 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (maks.)
760mW (Ta), 2,5W (Tc)
Toimintalämpötila
-50°C – 150°C (TJ)
Luokka
-
Hyväksyntä
-
Asennustyyppi
Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus
SOT-23-3 (TO-236)
Pakkaus / kotelo
Päätuotenumero
Tuotteita koskevat kysymykset ja vastaukset

Katso, mitä suunnittelijat kysyvät, tee kysymyksiä ja auta toisia DigiKeyn suunnitteluyhteisössä

Vanhentunut
Tätä tuotetta ei enää valmisteta. Näytä Korvaavat osat.