IRFIB5N65APBF on vanhentunut, eikä sitä enää valmisteta.
Saatavana olevat korvaavat osat:

MFR Recommended


Vishay Siliconix
Varastossa: 1 992
Yksikköhinta : 2,52000 €
Tekniset tiedot

Samankaltainen


STMicroelectronics
Varastossa: 955
Yksikköhinta : 2,23000 €
Tekniset tiedot

Samankaltainen


STMicroelectronics
Varastossa: 0
Yksikköhinta : 2,83000 €
Tekniset tiedot

Samankaltainen


STMicroelectronics
Varastossa: 62
Yksikköhinta : 2,18000 €
Tekniset tiedot

Samankaltainen


STMicroelectronics
Varastossa: 1 883
Yksikköhinta : 3,94000 €
Tekniset tiedot

Samankaltainen


Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa: 26
Yksikköhinta : 2,68000 €
Tekniset tiedot
N-kanavatyyppi 650 V 5,1A (Tc) 60W (Tc) Läpivientiaukko TO-220-3
Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IRFIB5N65APBF

DigiKeyn tuotenumero
IRFIB5N65APBF-ND
Valmistaja
Valmistajan tuotenumero
IRFIB5N65APBF
Kuvaus
MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220-3
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus
N-kanavatyyppi 650 V 5,1A (Tc) 60W (Tc) Läpivientiaukko TO-220-3
Tekniset tiedot
 Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit
IRFIB5N65APBF -mallit
Tuotteen ominaisuudet
Tyyppi
Kuvaus
Valitse kaikki
Kategoria
Valm.
Sarja
-
Pakkaustapa
Putki
Osan tila
Vanhentunut
FET-tyyppi
Teknologia
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)
650 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)
10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
930mOhm @ 3,1A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id
4V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds
1417 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (maks.)
60W (Tc)
Toimintalämpötila
-55°C – 150°C (TJ)
Luokka
-
Hyväksyntä
-
Asennustyyppi
Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus
TO-220-3
Pakkaus / kotelo
Päätuotenumero
Tuotteita koskevat kysymykset ja vastaukset

Katso, mitä suunnittelijat kysyvät, tee kysymyksiä ja auta toisia DigiKeyn suunnitteluyhteisössä

Vanhentunut
Tätä tuotetta ei enää valmisteta. Näytä Korvaavat osat.