P-kanava 50 V 1,1A (Tc) 1W (Tc) Läpivientiaukko 4-HVMDIP
Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IRFD9010

DigiKeyn tuotenumero
IRFD9010-ND
Valmistaja
Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero
IRFD9010
Kuvaus
MOSFET P-CH 50V 1.1A 4DIP
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus
P-kanava 50 V 1,1A (Tc) 1W (Tc) Läpivientiaukko 4-HVMDIP
Tekniset tiedot
 Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit
IRFD9010 -mallit
Tuotteen ominaisuudet
Tyyppi
Kuvaus
Valitse kaikki
Kategoria
Valm.
Vishay Siliconix
Sarja
-
Pakkaustapa
Putki
Osan tila
Aktiivinen
FET-tyyppi
P-kanava
Teknologia
MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)
50 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C
1,1A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)
10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
500mOhm @ 580mA, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id
4V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds
240 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (maks.)
1W (Tc)
Toimintalämpötila
-55°C – 150°C (TJ)
Luokka
-
Hyväksyntä
-
Asennustyyppi
Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus
4-HVMDIP
Pakkaus / kotelo
4-DIP (0,300", 7,62mm)
Päätuotenumero
IRFD9010
Tuotteita koskevat kysymykset ja vastaukset

Katso, mitä suunnittelijat kysyvät, tee kysymyksiä ja auta toisia DigiKeyn suunnitteluyhteisössä

Manufacturer Quote Required
This product requires a manufacturer-approved quote before it can be ordered. Orders must meet the manufacturer’s standard package quantity, may be subject to extended lead times, and cannot be canceled or returned. Quotes are typically processed within 3–5 business days after submission.
Kirjaudu sisään tai rekisteröidy pyytääksesi tarjousta