Name: SMBJ12D-M3/I
Brand: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SKU: SMBJ12D-M3/IGITR-ND
Price: 0.38905 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SMBJ12D-M3/I
DigiKeyn tuotenumero	SMBJ12D-M3/IGITR-ND - Rullattu teippi (TR) SMBJ12D-M3/IGICT-ND - Cut Tape (CT) SMBJ12D-M3/IGIDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Valmistajan tuotenumero	SMBJ12D-M3/I
Kuvaus	TVS DIODE 12VWM 19.6VC DO214AA
Valmistajan vakio toimitusaika	10 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	19,6V Puristusliitin 30,6A Ipp TVS - diodit Kiinnitys pintaan DO-214AA (SMBJ)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Virtapiirin suojaus Transienttijännitteen vaimennin (TVS) TVS-diodit
Valm.	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Sarja	TransZorb®
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
Tyyppi	Zener
Yksisuuntaiset kanavat	1
Jännite - käänteinen läpilyöntijännite (tyyp.)	12V
Jännite - läpilyönti (min)	13,5V
Jännite - lukitus (maks.) @ Ipp	19,6V
Virta - huippupulssi (10/1000µs)	30,6A
Teho - pulssin huippu	600W
Syöttöjännitteen suojaus	No
Sovellukset	Yleiskäyttöön
Kapasitanssi taajuudella	-
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Pakkaus / kotelo	DO-214AA, SMB
Valmistajan laitepakkaus	DO-214AA (SMBJ)
Päätuotenumero	SMBJ12