Name: TPH2R306NH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPH2R306NHL1QTR-ND
Price: 2.64805 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

TPH2R306NH,L1Q
DigiKeyn tuotenumero	TPH2R306NHL1QTR-ND - Rullattu teippi (TR) TPH2R306NHL1QCT-ND - Cut Tape (CT) TPH2R306NHL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Toshiba Semiconductor and Storage
Valmistajan tuotenumero	TPH2R306NH,L1Q
Kuvaus	MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP
Valmistajan vakio toimitusaika	16 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 60 V 60A (Tc) 1,6W (Ta), 78W (Tc) Kiinnitys pintaan 8-SOP Advance (5x5)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	TPH2R306NH,L1Q -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Toshiba Semiconductor and Storage
Sarja	U-MOSVIII-H
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	60 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	60A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	6,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	2,3mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4V @ 1mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	72 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	6100 pF @ 30 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	1,6W (Ta), 78W (Tc)
Toimintalämpötila	150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	8-SOP Advance (5x5)
Pakkaus / kotelo	8-PowerVDFN
Päätuotenumero	TPH2R306