Name: TPH1R712MD,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPH1R712MDL1QTR-ND
Price: 2.3092 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

TPH1R712MD,L1Q
DigiKeyn tuotenumero	TPH1R712MDL1QTR-ND - Rullattu teippi (TR) TPH1R712MDL1QCT-ND - Cut Tape (CT) TPH1R712MDL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Toshiba Semiconductor and Storage
Valmistajan tuotenumero	TPH1R712MD,L1Q
Kuvaus	MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP
Valmistajan vakio toimitusaika	16 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 20 V 60A (Tc) 78W (Tc) Kiinnitys pintaan 8-SOP Advance (5x5)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	TPH1R712MD,L1Q -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 1,2V @ 1mA
Valm. Toshiba Semiconductor and Storage	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 182 nC @ 5 V
Sarja U-MOSVI	Vgs (maks.) ±12V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 10900 pF @ 10 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 78W (Tc)
FET-tyyppi P-kanava	Toimintalämpötila 150°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 20 V	Valmistajan laitepakkaus 8-SOP Advance (5x5)
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 60A (Tc)	Pakkaus / kotelo 8-PowerVDFN
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 2,5V, 4,5V	Päätuotenumero TPH1R712
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 1,7mOhm @ 30A, 4,5V