Name: TK55S10N1,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK55S10N1LQTR-ND
Price: 4.1666 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

TK55S10N1,LQ
DigiKeyn tuotenumero	TK55S10N1LQTR-ND - Rullattu teippi (TR) TK55S10N1LQCT-ND - Cut Tape (CT) TK55S10N1LQDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Toshiba Semiconductor and Storage
Valmistajan tuotenumero	TK55S10N1,LQ
Kuvaus	MOSFET N-CH 100V 55A DPAK
Valmistajan vakio toimitusaika	16 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 100 V 55A (Ta) 157W (Tc) Kiinnitys pintaan DPAK+
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	TK55S10N1,LQ -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 4V @ 500µA
Valm. Toshiba Semiconductor and Storage	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 49 nC @ 10 V
Sarja U-MOSVIII-H	Vgs (maks.) ±20V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 3280 pF @ 10 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 157W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila 175°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 100 V	Valmistajan laitepakkaus DPAK+
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 55A (Ta)	Pakkaus / kotelo TO-252-3, DPAK (2 jalkaa + juotoskohta), SC-63
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Päätuotenumero TK55S10
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 6,5mOhm @ 27,5A, 10V