Name: TK31E60X,S1X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK31E60XS1X-ND
Price: 8.6093 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

TK31E60X,S1X
DigiKeyn tuotenumero	TK31E60XS1X-ND
Valmistaja	Toshiba Semiconductor and Storage
Valmistajan tuotenumero	TK31E60X,S1X
Kuvaus	MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220
Valmistajan vakio toimitusaika	16 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 600 V 30,8A (Ta) 230W (Tc) Läpivientiaukko TO-220
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	TK31E60X,S1X -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 3,5V @ 1,5mA
Valm. Toshiba Semiconductor and Storage	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 65 nC @ 10 V
Sarja DTMOSIV-H	Vgs (maks.) ±30V
Pakkaustapa Putki	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 3000 pF @ 300 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 230W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila 150°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Läpivientiaukko
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 600 V	Valmistajan laitepakkaus TO-220
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 30,8A (Ta)	Pakkaus / kotelo TO-220-3
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Päätuotenumero TK31E60
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 88mOhm @ 9,4A, 10V

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Korvaa (3)

Osanumero	Valmistaja	Saatavana oleva määrä	DigiKeyn tuotenumero	Yksikköhinta	Korvaava tyyppi
IPP65R095C7XKSA1	Infineon Technologies	125	IPP65R095C7XKSA1-ND	5,57000 €	Samankaltainen
STP38N65M5	STMicroelectronics	1 000	497-13112-5-ND	5,42000 €	Samankaltainen
STP42N65M5	STMicroelectronics	70	497-8791-5-ND	9,57000 €	Samankaltainen