Name: SSM6J512NU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6J512NULFTR-ND
Price: 0.6777 EUR
Availability: InStock

SSM6J512NU,LF
cms-digikey-product-number	SSM6J512NULFTR-ND - Rullattu teippi (TR) SSM6J512NULFCT-ND - Cut Tape (CT) SSM6J512NULFDKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	Toshiba Semiconductor and Storage
cms-manufacturer-product-number	SSM6J512NU,LF
cms-description	MOSFET P-CH 12V 10A 6UDFNB
cms-standard-lead-time	12 viikkoa
cms-customer-reference
cms-detailed-description	P-kanava 12 V 10A (Ta) 1,25W (Ta) Kiinnitys pintaan 6-UDFNB (2x2)
cms-datasheet	cms-datasheet
cms-eda-cad-models	SSM6J512NU,LF -mallit

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Toshiba Semiconductor and Storage
Sarja	U-MOSVII
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	P-kanava
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	12 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	10A (Ta)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	1,8V, 8V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	16,2mOhm @ 4A, 8V
Vgs(th) (maks.) @ Id	1V @ 1mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	19.5 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	1400 pF @ 6 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	1,25W (Ta)
Toimintalämpötila	150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	6-UDFNB (2x2)
Pakkaus / kotelo	6-WDFN avoin juotoskohta
Päätuotenumero	SSM6J512

Yksikköhinta ilman ALV-veroa:	0,54000 €
Yksikköhinta ALV-veron kanssa:	0,67770 €

SSM6J512NU,LF