Name: GT50JR22(STA1,E,S)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-GT50JR22(STA1ES)-ND
Price: 7.04055 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

GT50JR22(STA1,E,S)
DigiKeyn tuotenumero	264-GT50JR22(STA1ES)-ND
Valmistaja	Toshiba Semiconductor and Storage
Valmistajan tuotenumero	GT50JR22(STA1,E,S)
Kuvaus	IGBT 600V 50A TO-3P
Valmistajan vakio toimitusaika	12 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	IGBT 600 V 50 A 230 W Läpivientiaukko TO-3P(N)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit IGBT-piirit Yksittäiset IGBT-transistorit
Valmistaja	Toshiba Semiconductor and Storage
Sarja	-
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Aktiivinen
IGBT-tyyppi	-
Jännite - kollektori-emitteriläpilyönti (maks.)	600 V
Virta - kollektori (Ic) (maks.)	50 A
Virta - kollektorin pulssi (Icm)	100 A
Vce(on) (maks.) @ Vge, Ic	2,2V @ 15V, 50A
Teho - maksimi	230 W
Kytkentäenergia	-
Tulon tyyppi	Standardi
Td (päällä / pois päältä) @ 25°C	-
Testitila	-
Toimintalämpötila	175°C (TJ)
Asennustyyppi	Läpivientiaukko
Pakkaus / kotelo	TO-3P-3, SC-65-3
Valmistajan laitepakkaus	TO-3P(N)