GT50JR22(STA1,E,S)
Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

GT50JR21(STA1,E,S)

DigiKeyn tuotenumero
264-GT50JR21(STA1ES)-ND
Valmistaja
Valmistajan tuotenumero
GT50JR21(STA1,E,S)
Kuvaus
IGBT 600V 50A TO-3P
Valmistajan vakio toimitusaika
12 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus
IGBT 600 V 50 A 230 W Läpivientiaukko TO-3P(N)
Tekniset tiedot
 Tekniset tiedot
Tuotteen ominaisuudet
Tyyppi
Kuvaus
Valitse kaikki
Kategoria
Valmistaja
Toshiba Semiconductor and Storage
Sarja
-
Pakkaustapa
Putki
Osan tila
Aktiivinen
IGBT-tyyppi
-
Jännite - kollektori-emitteriläpilyönti (maks.)
600 V
Virta - kollektori (Ic) (maks.)
50 A
Virta - kollektorin pulssi (Icm)
100 A
Vce(on) (maks.) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 50A
Teho - maksimi
230 W
Kytkentäenergia
-
Tulon tyyppi
Standardi
Td (päällä / pois päältä) @ 25°C
-
Testitila
-
Toimintalämpötila
175°C (TJ)
Asennustyyppi
Läpivientiaukko
Pakkaus / kotelo
TO-3P-3, SC-65-3
Valmistajan laitepakkaus
TO-3P(N)
Tuotteita koskevat kysymykset ja vastaukset

Katso, mitä suunnittelijat kysyvät, tee kysymyksiä ja auta toisia DigiKeyn suunnitteluyhteisössä

Varastossa: 24
Tutustu myös saapuviin tuotteisiin
Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR
Putki
Määrä Yksikköhinta Yhteensä
15,65000 €5,65 €
253,31840 €82,96 €
1002,76250 €276,25 €
5002,35898 €1 179,49 €
Valmistajien vakiokoko
Huomaa: DigiKeyn lisäarvopalveluista johtuen pakkaustyyppi voi muuttua, kun tuotetta ostetaan vakiokokoa pienempiä määriä.
Yksikköhinta ilman ALV-veroa:5,65000 €
Yksikköhinta ALV-veron kanssa:7,09075 €