Name: STL8N6F7
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STL8N6F7TR-ND
Price: 1.24245 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

STL8N6F7
DigiKeyn tuotenumero	497-STL8N6F7TR-ND - Rullattu teippi (TR) 497-STL8N6F7CT-ND - Cut Tape (CT) 497-STL8N6F7DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	STMicroelectronics
Valmistajan tuotenumero	STL8N6F7
Kuvaus	MOSFET N-CH 60V 36A POWERFLAT
Valmistajan vakio toimitusaika	13 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 60 V 36A (Tc) 3W (Ta), 60W (Tc) Kiinnitys pintaan PowerFlat™ (3,3x3,3)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	STMicroelectronics
Sarja	STripFET™ F7
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	60 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	36A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	25mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	8 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	450 pF @ 25 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	3W (Ta), 60W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PowerFlat™ (3,3x3,3)
Pakkaus / kotelo	8-PowerVDFN
Päätuotenumero	STL8