Name: STH2N120K5-2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STH2N120K5-2AGTR-ND
Price: 5.6977 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

STH2N120K5-2AG
DigiKeyn tuotenumero	497-STH2N120K5-2AGTR-ND - Rullattu teippi (TR) 497-STH2N120K5-2AGCT-ND - Cut Tape (CT) 497-STH2N120K5-2AGDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	STMicroelectronics
Valmistajan tuotenumero	STH2N120K5-2AG
Kuvaus	MOSFET N-CH 1200V 1.5A H2PAK-2
Valmistajan vakio toimitusaika	14 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 1200 V 1,5A (Tc) 60W (Tc) Kiinnitys pintaan H2PAK-2
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	STH2N120K5-2AG -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	STMicroelectronics
Sarja	-
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	1200 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	1,5A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	10Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4V @ 100µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	5.3 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	124 pF @ 100 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	60W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	Autoteollisuus
Hyväksyntä	AEC-Q101
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	H2PAK-2
Pakkaus / kotelo	TO-263-3, D2PAK (2 jalkaa + juotoskohta), TO-263AB
Päätuotenumero	STH2N120