Name: STGWA80H65DFBAG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STGWA80H65DFBAG-ND
Price: 7.1033 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

STGWA80H65DFBAG
DigiKeyn tuotenumero	497-STGWA80H65DFBAG-ND
Valmistaja	STMicroelectronics
Valmistajan tuotenumero	STGWA80H65DFBAG
Kuvaus	IGBT TRENCH FS 650V 120A TO247
Valmistajan vakio toimitusaika	14 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	IGBT Trench Field Stop 650 V 120 A 535 W Läpivientiaukko TO-247, pitkät johtimet
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit IGBT-piirit Yksittäiset IGBT-transistorit
Valmistaja	STMicroelectronics
Sarja	-
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Aktiivinen
IGBT-tyyppi	Trench Field Stop
Jännite - kollektori-emitteriläpilyönti (maks.)	650 V
Virta - kollektori (Ic) (maks.)	120 A
Virta - kollektorin pulssi (Icm)	240 A
Vce(on) (maks.) @ Vge, Ic	2V @ 15V, 80A
Teho - maksimi	535 W
Kytkentäenergia	3,26mJ (päällä), 2,33mJ (pois päältä)
Tulon tyyppi	Standardi
Hilan varaus	453 nC
Td (päällä / pois päältä) @ 25°C	-/360ns
Testitila	400V, 80A, 10Ohm, 15V
Käänteinen elpymisaika (trr)	64 ns
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	Autoteollisuus
Hyväksyntä	AEC-Q101
Asennustyyppi	Läpivientiaukko
Pakkaus / kotelo	TO-247-3
Valmistajan laitepakkaus	TO-247, pitkät johtimet
Päätuotenumero	STGWA80