Name: SCT040W120G3-4
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCT040W120G3-4-ND
Price: 16.95505 EUR
Availability: OutOfStock

SCT040W120G3-4 on loppunut, mutta siitä voi tehdä jälkitilauksen.

Saatavana olevat korvaavat osat:

Samankaltainen

GeneSiC Semiconductor

Varastossa: 424

Yksikköhinta : 10,77000 €

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SCT040W120G3-4
DigiKeyn tuotenumero	497-SCT040W120G3-4-ND
Valmistaja	STMicroelectronics
Valmistajan tuotenumero	SCT040W120G3-4
Kuvaus	SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
Valmistajan vakio toimitusaika	17 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 1200 V 40A (Tc) 312W (Tc) Läpivientiaukko TO-247-4
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	STMicroelectronics
Sarja	*
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	SiCFET (piikarbidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	1200 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	40A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	15V, 18V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	54mOhm @ 16A, 18V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4,2V @ 5mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	56 nC @ 18 V
Vgs (maks.)	+18V, -5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	1329 pF @ 800 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	312W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 200°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus	TO-247-4
Pakkaus / kotelo	TO-247-4
Päätuotenumero	SCT040