Name: S3M0016120B
Brand: SMC Diode Solutions
SKU: 1655-S3M0016120B-ND
Price: 18.58655 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

S3M0016120B
DigiKeyn tuotenumero	1655-S3M0016120B-ND
Valmistaja	SMC Diode Solutions
Valmistajan tuotenumero	S3M0016120B
Kuvaus	MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Valmistajan vakio toimitusaika	12 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 1200 V 106A (Tc) 576W (Tc) Kiinnitys pintaan TO-263-7
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	SMC Diode Solutions
Sarja	-
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	SiCFET (piikarbidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	1200 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	106A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	18V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	23mOhm @ 75A, 18V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4V @ 30mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	287 nC @ 18 V
Vgs (maks.)	+22V, -8V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	5251 pF @ 1000 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	576W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	TO-263-7
Pakkaus / kotelo	TO-263-8, D2PAK (7 jalkaa + juotoskohta), TO-263CA