Name: TP65H150G4LSG
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP65H150G4LSG-ND
Price: 5.43415 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

TP65H150G4LSG
DigiKeyn tuotenumero	1707-TP65H150G4LSG-ND - Rullattu teippi (TR) 1707-TP65H150G4LSGCT-ND - Cut Tape (CT) 1707-TP65H150G4LSGDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Renesas Electronics Corporation
Valmistajan tuotenumero	TP65H150G4LSG
Kuvaus	GAN FET N-CH 650V PQFN
Valmistajan vakio toimitusaika	16 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 650 V 13A (Tc) 52W (Tc) Kiinnitys pintaan 3-PQFN (8x8)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	TP65H150G4LSG -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 4,8V @ 500µA
Valm. Renesas Electronics Corporation	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 8 nC @ 10 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 598 pF @ 400 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 52W (Tc)
Teknologia GaNFET (galliumnitridi)	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 650 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 13A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus 3-PQFN (8x8)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Pakkaus / kotelo 3-PowerTDFN
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 180mOhm @ 8,5A, 10V	Päätuotenumero TP65H150