Name: TP65H150G4LSGBE-TR
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP65H150G4LSGBE-TR-ND
Price: 4.4929 EUR
Availability: InStock

Uutta DigiKeyllä

N-kanavatyyppi 650 V 14,2A (Tc) 62,5W (Tc) Kiinnitys pintaan 8-PQFN (8x8)

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

TP65H150G4LSGBE-TR
DigiKeyn tuotenumero	1707-TP65H150G4LSGBE-TR-ND - Rullattu teippi (TR) 1707-TP65H150G4LSGBE-TRCT-ND - Cut Tape (CT) 1707-TP65H150G4LSGBE-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Renesas Electronics Corporation
Valmistajan tuotenumero	TP65H150G4LSGBE-TR
Kuvaus	650V, 150MOHM GAN FET IN 8X8 PQF
Valmistajan vakio toimitusaika	5 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 650 V 14,2A (Tc) 62,5W (Tc) Kiinnitys pintaan 8-PQFN (8x8)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 180mOhm @ 10A, 6V
Valm. Renesas Electronics Corporation	Vgs(th) (maks.) @ Id 2V @ 500µA
Sarja SuperGaN®	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 14 nC @ 6 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 1160 pF @ 400 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 62,5W (Tc)
Teknologia GaNFET (galliumnitridi)	Toimintalämpötila -55°C – 150°C
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 650 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 14,2A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus 8-PQFN (8x8)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 6V	Pakkaus / kotelo 8-VDFN avoin juotoskohta