Name: NVMFS5C638NLT1G
Brand: onsemi
SKU: NVMFS5C638NLT1GOSTR-ND
Price: 3.3383 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

NVMFS5C638NLT1G
DigiKeyn tuotenumero	NVMFS5C638NLT1GOSTR-ND - Rullattu teippi (TR) NVMFS5C638NLT1GOSCT-ND - Cut Tape (CT) NVMFS5C638NLT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	onsemi
Valmistajan tuotenumero	NVMFS5C638NLT1G
Kuvaus	MOSFET N-CH 60V 26A/133A 5DFN
Valmistajan vakio toimitusaika	19 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 60 V 26A (Ta), 133A (Tc) 4W (Ta), 100W (Tc) Kiinnitys pintaan 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	NVMFS5C638NLT1G -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	onsemi
Sarja	-
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	60 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	26A (Ta), 133A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	3mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	40.7 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	2880 pF @ 25 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	4W (Ta), 100W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	Autoteollisuus
Hyväksyntä	AEC-Q101
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pakkaus / kotelo	8-PowerTDFN, 5 johtoa
Päätuotenumero	NVMFS5