Name: NVBG020N120SC1
Brand: onsemi
SKU: 5556-NVBG020N120SC1TR-ND
Price: 52.92335 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

NVBG020N120SC1
DigiKeyn tuotenumero	5556-NVBG020N120SC1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 5556-NVBG020N120SC1CT-ND - Cut Tape (CT) 5556-NVBG020N120SC1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	onsemi
Valmistajan tuotenumero	NVBG020N120SC1
Kuvaus	MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK
Valmistajan vakio toimitusaika	14 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 1200 V 8,6A (Ta), 98A (Tc) 3,7W (Ta), 468W (Tc) Kiinnitys pintaan D2PAK-7
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	NVBG020N120SC1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	onsemi
Sarja	-
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	SiCFET (piikarbidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	1200 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	8,6A (Ta), 98A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	20V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	28mOhm @ 60A, 20V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4,3V @ 20mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	220 nC @ 20 V
Vgs (maks.)	+25V, -15V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	2943 pF @ 800 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	3,7W (Ta), 468W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	Autoteollisuus
Hyväksyntä	AEC-Q101
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	D2PAK-7
Pakkaus / kotelo	TO-263-8, D2PAK (7 jalkaa + juotoskohta), TO-263CA
Päätuotenumero	NVBG020