Name: G080P06M
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-G080P06MTR-ND
Price: 3.514 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

G080P06M
DigiKeyn tuotenumero	3141-G080P06MTR-ND - Rullattu teippi (TR) 3141-G080P06MCT-ND - Cut Tape (CT) 3141-G080P06MDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Goford Semiconductor
Valmistajan tuotenumero	G080P06M
Kuvaus	P-60V,-195A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VT
Valmistajan vakio toimitusaika	8 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 60 V 195A (Tc) 294W (Tc) Kiinnitys pintaan TO-263
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 7,5mOhm @ 20A, 10V
Valm. Goford Semiconductor	Vgs(th) (maks.) @ Id 4V @ 250µA
Sarja TrenchFET®	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 186 nC @ 10 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 15870 pF @ 30 V
FET-tyyppi P-kanava	Tehohäviö (maks.) 294W (Tc)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 60 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 195A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus TO-263
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Pakkaus / kotelo TO-263-3, D2PAK (2 jalkaa + juotoskohta), TO-263AB