Name: NTMFS5C612NT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMFS5C612NT1GTR-ND
Price: 2.74845 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

NTMFS5C612NT1G
DigiKeyn tuotenumero	488-NTMFS5C612NT1GTR-ND - Rullattu teippi (TR) 488-NTMFS5C612NT1GCT-ND - Cut Tape (CT) 488-NTMFS5C612NT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	onsemi
Valmistajan tuotenumero	NTMFS5C612NT1G
Kuvaus	NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO
Valmistajan vakio toimitusaika	24 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 60 V 35A (Ta), 230A (Tc) 3,8W (Ta), 170W (Tc) Kiinnitys pintaan 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	onsemi
Sarja	-
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	60 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	35A (Ta), 230A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	1,6mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	60.2 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	4830 pF @ 25 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	3,8W (Ta), 170W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pakkaus / kotelo	8-PowerTDFN, 5 johtoa
Päätuotenumero	NTMFS5