Name: NTMFS3D2N10MDT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMFS3D2N10MDT1GTR-ND
Price: 4.5682 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

NTMFS3D2N10MDT1G
DigiKeyn tuotenumero	488-NTMFS3D2N10MDT1GTR-ND - Rullattu teippi (TR) 488-NTMFS3D2N10MDT1GCT-ND - Cut Tape (CT) 488-NTMFS3D2N10MDT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	onsemi
Valmistajan tuotenumero	NTMFS3D2N10MDT1G
Kuvaus	PTNG 100V LOW Q3.2MOHM N-FET, HE
Valmistajan vakio toimitusaika	33 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 100 V 19A (Ta), 142A (Tc) 2,8W (Ta), 155W (Tc) Kiinnitys pintaan 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	NTMFS3D2N10MDT1G -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	onsemi
Sarja	-
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	100 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	19A (Ta), 142A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	6V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	3,5mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4V @ 316µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	71.3 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	3900 pF @ 50 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	2,8W (Ta), 155W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pakkaus / kotelo	8-PowerTDFN, 5 johtoa
Päätuotenumero	NTMFS3