ISL9N303AS3ST on vanhentunut, eikä sitä enää valmisteta.
Saatavana olevat korvaavat osat:

Samankaltainen


Nexperia USA Inc.
Varastossa: 0
Yksikköhinta : 2,17000 €
Tekniset tiedot

Samankaltainen


Nexperia USA Inc.
Varastossa: 5
Yksikköhinta : 1,89000 €
Tekniset tiedot

Samankaltainen


Nexperia USA Inc.
Varastossa: 636
Yksikköhinta : 2,60000 €
Tekniset tiedot

Samankaltainen


STMicroelectronics
Varastossa: 64
Yksikköhinta : 3,84000 €
Tekniset tiedot

Samankaltainen


STMicroelectronics
Varastossa: 0
Yksikköhinta : 1,98000 €
Tekniset tiedot
N-kanavatyyppi 30 V 75A (Tc) 215W (Tc) Kiinnitys pintaan TO-263 (D2PAK)
Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.
N-kanavatyyppi 30 V 75A (Tc) 215W (Tc) Kiinnitys pintaan TO-263 (D2PAK)
TO-263

ISL9N303AS3ST

DigiKeyn tuotenumero
ISL9N303AS3ST-ND - Rullattu teippi (TR)
Valmistaja
Valmistajan tuotenumero
ISL9N303AS3ST
Kuvaus
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus
N-kanavatyyppi 30 V 75A (Tc) 215W (Tc) Kiinnitys pintaan TO-263 (D2PAK)
Tekniset tiedot
 Tekniset tiedot
Tuotteen ominaisuudet
Tyyppi
Kuvaus
Valitse kaikki
Kategoria
Valm.
Sarja
Pakkaustapa
Rullattu teippi (TR)
Osan tila
Vanhentunut
FET-tyyppi
Teknologia
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)
30 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)
4,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
3,2mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id
3V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs
172 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds
7000 pF @ 15 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (maks.)
215W (Tc)
Toimintalämpötila
-55°C – 175°C (TJ)
Luokka
-
Hyväksyntä
-
Asennustyyppi
Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus
TO-263 (D2PAK)
Pakkaus / kotelo
Päätuotenumero
Tuotteita koskevat kysymykset ja vastaukset

Katso, mitä suunnittelijat kysyvät, tee kysymyksiä ja auta toisia DigiKeyn suunnitteluyhteisössä

Vanhentunut
Tätä tuotetta ei enää valmisteta. Näytä Korvaavat osat.
Ei voi peruuttaa/ei voi palauttaa