FQP19N20C onsemi | Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit

FQP19N20C on vanhentunut, eikä sitä enää valmisteta.

Saatavana olevat korvaavat osat:

Samankaltainen

Infineon Technologies

Varastossa: 108

Yksikköhinta : 2,23000 €

Samankaltainen

STMicroelectronics

Varastossa: 1 449

Yksikköhinta : 1,72000 €

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

FQP19N20C
DigiKeyn tuotenumero	FQP19N20C-ND
Valmistaja	onsemi
Valmistajan tuotenumero	FQP19N20C
Kuvaus	MOSFET N-CH 200V 19A TO220-3
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 200 V 19A (Tc) 139W (Tc) Läpivientiaukko TO-220-3
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 4V @ 250µA
Valm. onsemi	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 53 nC @ 10 V
Sarja QFET®	Vgs (maks.) ±30V
Pakkaustapa Putki	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 1080 pF @ 25 V
Osan tila Vanhentunut	Tehohäviö (maks.) 139W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Läpivientiaukko
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 200 V	Valmistajan laitepakkaus TO-220-3
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 19A (Tc)	Pakkaus / kotelo TO-220-3
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Päätuotenumero FQP19
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 170mOhm @ 9,5A, 10V