Name: IRF640NPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF640NPBF-ND
Price: 1.81975 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IRF640NPBF
DigiKeyn tuotenumero	IRF640NPBF-ND
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IRF640NPBF
Kuvaus	MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 200 V 18A (Tc) 150W (Tc) Läpivientiaukko TO-220AB
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IRF640NPBF -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	HEXFET®
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Ei uusiin suunnitelmiin
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	200 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	18A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	150mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	67 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	1160 pF @ 25 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	150W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus	TO-220AB
Pakkaus / kotelo	TO-220-3
Päätuotenumero	IRF640

Tuotteita koskevat kysymykset ja vastaukset

Katso, mitä suunnittelijat kysyvät, tee kysymyksiä ja auta toisia DigiKeyn suunnitteluyhteisössä

Varastossa: 32 983

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Ei suositella uusiin projekteihin, vähimmäismäärät saattavat soveltua. Näytä Korvaavat osat.

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Putki