
FQP12P20 | |
|---|---|
DigiKeyn tuotenumero | FQP12P20-ND |
Valmistaja | |
Valmistajan tuotenumero | FQP12P20 |
Kuvaus | MOSFET P-CH 200V 11.5A TO220-3 |
Asiakkaan referenssi | |
Tarkka kuvaus | P-kanava 200 V 11,5A (Tc) 120W (Tc) Läpivientiaukko TO-220-3 |
Tekniset tiedot | Tekniset tiedot |
EDA/CAD-mallit | FQP12P20 -mallit |
Tyyppi | Kuvaus | Valitse kaikki |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Valm. | ||
Sarja | ||
Pakkaustapa | Putki | |
Osan tila | Vanhentunut | |
FET-tyyppi | ||
Teknologia | ||
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) | 200 V | |
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C | ||
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) | 10V | |
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs | 470mOhm @ 5,75A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) @ Id | 5V @ 250µA | |
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs | 40 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | ±30V | |
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds | 1200 pF @ 25 V | |
FET-ominaisuus | - | |
Tehohäviö (maks.) | 120W (Tc) | |
Toimintalämpötila | -55°C – 150°C (TJ) | |
Luokka | - | |
Hyväksyntä | - | |
Asennustyyppi | Läpivientiaukko | |
Valmistajan laitepakkaus | TO-220-3 | |
Pakkaus / kotelo | ||
Päätuotenumero |


