Name: FQB55N10TM
Brand: onsemi
SKU: FQB55N10TMTR-ND
Price: 3.4136 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

FQB55N10TM
DigiKeyn tuotenumero	FQB55N10TMTR-ND - Rullattu teippi (TR) FQB55N10TMCT-ND - Cut Tape (CT) FQB55N10TMDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	onsemi
Valmistajan tuotenumero	FQB55N10TM
Kuvaus	MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
Valmistajan vakio toimitusaika	8 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 100 V 55A (Tc) 3,75W (Ta), 155W (Tc) Kiinnitys pintaan TO-263 (D2PAK)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	FQB55N10TM -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	onsemi
Sarja	QFET®
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	100 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	55A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	26mOhm @ 27,5A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	98 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±25V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	2730 pF @ 25 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	3,75W (Ta), 155W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	TO-263 (D2PAK)
Pakkaus / kotelo	TO-263-3, D2PAK (2 jalkaa + juotoskohta), TO-263AB
Päätuotenumero	FQB55N10