FDD8880 onsemi | Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

FDD8880
DigiKeyn tuotenumero	FDD8880TR-ND - Rullattu teippi (TR) FDD8880CT-ND - Cut Tape (CT) FDD8880DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	onsemi
Valmistajan tuotenumero	FDD8880
Kuvaus	MOSFET N-CH 30V 13A/58A TO252AA
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 30 V 13A (Ta), 58A (Tc) 55W (Tc) Kiinnitys pintaan TO-252AA
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	FDD8880 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 2,5V @ 250µA
Valm. onsemi	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 31 nC @ 10 V
Sarja PowerTrench®	Vgs (maks.) ±20V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 1260 pF @ 15 V
Osan tila Vanhentunut	Tehohäviö (maks.) 55W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 155°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 30 V	Valmistajan laitepakkaus TO-252AA
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 13A (Ta), 58A (Tc)	Pakkaus / kotelo TO-252-3, DPAK (2 jalkaa + juotoskohta), SC-63
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Päätuotenumero FDD888
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 9mOhm @ 35A, 10V

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Korvaa (3)

Osanumero	Valmistaja	Saatavana oleva määrä	DigiKeyn tuotenumero	Yksikköhinta	Korvaava tyyppi
PJD55N03_L2_00001	Panjit International Inc.	0	3757-PJD55N03_L2_00001TR-ND	0,16798 €	Samankaltainen
STD70NS04ZL	STMicroelectronics	0	497-10411-2-ND	0,57021 €	Samankaltainen
XP3N9R5AH	YAGEO XSEMI	987	5048-XP3N9R5AHCT-ND	0,51000 €	Samankaltainen