Name: FDD86102LZ
Brand: onsemi
SKU: FDD86102LZFSTR-ND
Price: 1.64405 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

FDD86102LZ
DigiKeyn tuotenumero	FDD86102LZFSTR-ND - Rullattu teippi (TR) FDD86102LZFSCT-ND - Cut Tape (CT) FDD86102LZFSDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	onsemi
Valmistajan tuotenumero	FDD86102LZ
Kuvaus	MOSFET N-CH 100V 8A/35A DPAK
Valmistajan vakio toimitusaika	22 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 100 V 8A (Ta), 35A (Tc) 3,1W (Ta), 54W (Tc) Kiinnitys pintaan TO-252AA
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	FDD86102LZ -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	onsemi
Sarja	PowerTrench®
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	100 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	8A (Ta), 35A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	22,5mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	3V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	26 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	1540 pF @ 50 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	3,1W (Ta), 54W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	TO-252AA
Pakkaus / kotelo	TO-252-3, DPAK (2 jalkaa + juotoskohta), SC-63
Päätuotenumero	FDD86102