Name: G3R30MT12K
Brand: Navitas Semiconductor, Inc.
SKU: 1913-G3R30MT12K-ND
Price: 31.8017 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

G3R30MT12K
DigiKeyn tuotenumero	1913-G3R30MT12K-ND
Valmistaja	Navitas Semiconductor, Inc.
Valmistajan tuotenumero	G3R30MT12K
Kuvaus	SIC MOSFET N-CH 90A TO247-4
Valmistajan vakio toimitusaika	20 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 1200 V 90A (Tc) 400W (Tc) Läpivientiaukko TO-247-4
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 2,69V @ 12mA
Valm. Navitas Semiconductor, Inc.	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 155 nC @ 15 V
Sarja G3R™	Vgs (maks.) ±15V
Pakkaustapa Putki	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 3901 pF @ 800 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 400W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
Teknologia SiCFET (piikarbidi)	Asennustyyppi Läpivientiaukko
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 1200 V	Valmistajan laitepakkaus TO-247-4
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 90A (Tc)	Pakkaus / kotelo TO-247-4
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 15V	Päätuotenumero G3R30
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 36mOhm @ 50A, 15V