Name: G3R12MT12K
Brand: Navitas Semiconductor, Inc.
SKU: 1913-G3R12MT12K-ND
Price: 76.44205 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

G3R12MT12K
DigiKeyn tuotenumero	1913-G3R12MT12K-ND
Valmistaja	Navitas Semiconductor, Inc.
Valmistajan tuotenumero	G3R12MT12K
Kuvaus	1200V 12M TO-247-4 G3R SIC MOSFE
Valmistajan vakio toimitusaika	20 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 1200 V 157A (Tc) 567W (Tc) Läpivientiaukko TO-247-4
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 2,7V @ 50mA
Valm. Navitas Semiconductor, Inc.	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 288 nC @ 15 V
Pakkaustapa Putki	Vgs (maks.) +22V, -10V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 9335 pF @ 800 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 567W (Tc)
Teknologia SiCFET (piikarbidi)	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 1200 V	Asennustyyppi Läpivientiaukko
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 157A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus TO-247-4
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 15V, 18V	Pakkaus / kotelo TO-247-4
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 13mOhm @ 100A, 18V	Päätuotenumero G3R12M