Name: G3F33MT06L-TR
Brand: Navitas Semiconductor, Inc.
SKU: 1913-G3F33MT06L-TR-ND
Price: 15.9636 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

G3F33MT06L-TR
DigiKeyn tuotenumero	1913-G3F33MT06L-TR-ND - Rullattu teippi (TR) 1913-G3F33MT06L-TRCT-ND - Cut Tape (CT) 1913-G3F33MT06L-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Navitas Semiconductor, Inc.
Valmistajan tuotenumero	G3F33MT06L-TR
Kuvaus	650V 27M TO-LL G3F SIC MOSFET
Valmistajan vakio toimitusaika	20 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 650 V 90A (Tc) 333W (Tc) Kiinnitys pintaan TOLL
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Navitas Semiconductor, Inc.
Sarja	-
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	SiC (piikarbidiliitostransistori)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	650 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	90A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	15V, 18V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	38mOhm @ 26A, 18V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4,3V @ 12mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	81 nC @ 18 V
Vgs (maks.)	+22V, -10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	2394 pF @ 400 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	333W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	Autoteollisuus
Hyväksyntä	AEC-Q101
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	TOLL
Pakkaus / kotelo	8-PowerSFN