Name: G2R120MT33J
Brand: Navitas Semiconductor, Inc.
SKU: 1913-G2R120MT33J-ND
Price: 98.06675 EUR
Availability: OutOfStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

G2R120MT33J
DigiKeyn tuotenumero	1913-G2R120MT33J-ND
Valmistaja	Navitas Semiconductor, Inc.
Valmistajan tuotenumero	G2R120MT33J
Kuvaus	SIC MOSFET N-CH TO263-7
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 3300 V 35A Kiinnitys pintaan TO-263-7
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	G2R120MT33J -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 156mOhm @ 20A, 20V
Valm. Navitas Semiconductor, Inc.	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 145 nC @ 20 V
Sarja G2R™	Vgs (maks.) +25V, -10V
Pakkaustapa Putki	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 3706 pF @ 1000 V
Osan tila Viimeinen ostohetki	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Teknologia SiCFET (piikarbidi)	Valmistajan laitepakkaus TO-263-7
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 3300 V	Pakkaus / kotelo TO-263-8, D2PAK (7 jalkaa + juotoskohta), TO-263CA
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 35A	Päätuotenumero G2R120
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 20V