Name: G2R1000MT33J-TR
Brand: Navitas Semiconductor, Inc.
SKU: 1913-G2R1000MT33J-TR-ND
Price: 27.108 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

G2R1000MT33J-TR
DigiKeyn tuotenumero	1913-G2R1000MT33J-TR-ND - Rullattu teippi (TR) 1913-G2R1000MT33J-TRCT-ND - Cut Tape (CT) 1913-G2R1000MT33J-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Navitas Semiconductor, Inc.
Valmistajan tuotenumero	G2R1000MT33J-TR
Kuvaus	3300V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS
Valmistajan vakio toimitusaika	20 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 3300 V 5A (Tc) 74W (Tc) Kiinnitys pintaan TO-263-7
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 1,2Ohm @ 2A, 20V
Valm. Navitas Semiconductor, Inc.	Vgs(th) (maks.) @ Id 3,5V @ 2mA
Sarja LoRing™	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 21 nC @ 20 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) +20V, -5V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 238 pF @ 1000 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 74W (Tc)
Teknologia SiCFET (piikarbidi)	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 3300 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 5A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus TO-263-7
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 20V	Pakkaus / kotelo TO-263-8, D2PAK (7 jalkaa + juotoskohta), TO-263CA