Name: IXTN200N10L2
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTN200N10L2-ND
Price: 53.1367 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IXTN200N10L2
DigiKeyn tuotenumero	238-IXTN200N10L2-ND
Valmistaja	IXYS
Valmistajan tuotenumero	IXTN200N10L2
Kuvaus	MOSFET N-CH 100V 178A SOT227B
Valmistajan vakio toimitusaika	27 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 100 V 178A (Tc) 830W (Tc) Runkokiinnitys SOT-227B
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	IXYS
Sarja	Linear L2™
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	100 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	178A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	11mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4,5V @ 3mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	540 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	23000 pF @ 25 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	830W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Runkokiinnitys
Valmistajan laitepakkaus	SOT-227B
Pakkaus / kotelo	SOT-227-4, miniBLOC
Päätuotenumero	IXTN200