IXFY5N50P3 IXYS | Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina

IXFY5N50P3 on vanhentunut, eikä sitä enää valmisteta.

Saatavana olevat korvaavat osat:

Samankaltainen

Vishay Siliconix

Varastossa: 0

Yksikköhinta : 1,60000 €

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IXFY5N50P3
DigiKeyn tuotenumero	IXFY5N50P3-ND
Valmistaja	IXYS
Valmistajan tuotenumero	IXFY5N50P3
Kuvaus	MOSFET N-CH 500V 5A TO252
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 500 V 5A (Tc) 114W (Tc) Kiinnitys pintaan TO-252AA

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	IXYS
Sarja	HiPerFET™, Polar3™
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Vanhentunut
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	500 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	5A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	1,65Ohm @ 2,5A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	5V @ 1mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	6.9 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	370 pF @ 25 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	114W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	TO-252AA
Pakkaus / kotelo	TO-252-3, DPAK (2 jalkaa + juotoskohta), SC-63
Päätuotenumero	IXFY5N50