Name: IXFA4N100Q
Brand: IXYS
SKU: IXFA4N100Q-ND
Price: 10.83065 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IXFA4N100Q
DigiKeyn tuotenumero	IXFA4N100Q-ND
Valmistaja	IXYS
Valmistajan tuotenumero	IXFA4N100Q
Kuvaus	MOSFET N-CH 1000V 4A TO263
Valmistajan vakio toimitusaika	27 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 1000 V 4A (Tc) 150W (Tc) Kiinnitys pintaan TO-263AA (IXFA)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	IXYS
Sarja	HiPerFET™, Q Class
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	1000 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	4A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	3Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4,5V @ 1,5mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	39 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	1050 pF @ 25 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	150W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	TO-263AA (IXFA)
Pakkaus / kotelo	TO-263-3, D2PAK (2 jalkaa + juotoskohta), TO-263AB
Päätuotenumero	IXFA4N100