SPB100N03S2-03 G Infineon Technologies | Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina

SPB100N03S2-03 G on lopetettu eikä DigiKey myy sitä enää.

Saatavana olevat korvaavat osat:

Parametrisesti vastaava

Infineon Technologies

Varastossa: 0

Yksikköhinta : 0,00000 €

Samankaltainen

Nexperia USA Inc.

Varastossa: 3 653

Yksikköhinta : 2,81000 €

Samankaltainen

Nexperia USA Inc.

Varastossa: 5

Yksikköhinta : 2,37000 €

Samankaltainen

Nexperia USA Inc.

Varastossa: 6 043

Yksikköhinta : 2,28000 €

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SPB100N03S2-03 G
DigiKeyn tuotenumero	SPB100N03S2-03G-ND - Rullattu teippi (TR)
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	SPB100N03S2-03 G
Kuvaus	MOSFET N-CH 30V 100A TO263-3
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 30 V 100A (Tc) 300W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TO263-3-2
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	OptiMOS™
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR)
Osan tila	Valmistus lopetettu Digi-Keyllä
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	30 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	100A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	3mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	150 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	7020 pF @ 25 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	300W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PG-TO263-3-2
Pakkaus / kotelo	TO-263-3, D2PAK (2 jalkaa + juotoskohta), TO-263AB
Päätuotenumero	SPB100N