Name: ISC16DP15LMATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC16DP15LMATMA1TR-ND
Price: 3.6646 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

ISC16DP15LMATMA1
DigiKeyn tuotenumero	448-ISC16DP15LMATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-ISC16DP15LMATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-ISC16DP15LMATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	ISC16DP15LMATMA1
Kuvaus	TRENCH >=100V
Valmistajan vakio toimitusaika	26 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 150 V 2,5A (Ta), 22A (Tc) 2,5W (Ta), 188W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TDSON-8-45
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	ISC16DP15LMATMA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	OptiMOS™
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	P-kanava
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	150 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	2,5A (Ta), 22A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	160mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2V @ 2,304mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	125 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	4600 pF @ 75 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	2,5W (Ta), 188W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PG-TDSON-8-45
Pakkaus / kotelo	8-PowerTDFN