Name: IRFB4127PBFXKMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IRFB4127PBFXKMA1-ND
Price: 5.0702 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IRFB4127PBFXKMA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IRFB4127PBFXKMA1-ND
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IRFB4127PBFXKMA1
Kuvaus	MOSFET N-CH 200V 76A TO220AB
Valmistajan vakio toimitusaika	25 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 200 V 76A (Tc) 375W (Tc) Läpivientiaukko TO-220AB
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 20mOhm @ 44A, 10V
Valm. Infineon Technologies	Vgs(th) (maks.) @ Id 5V @ 250µA
Sarja HEXFET®	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 150 nC @ 10 V
Pakkaustapa Putki	Vgs (maks.) ±20V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 5380 pF @ 50 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 375W (Tc)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 200 V	Asennustyyppi Läpivientiaukko
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 76A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus TO-220AB
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Pakkaus / kotelo TO-220-3

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Varastossa: 1 149

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Putki