IRF2807ZSPBF on loppunut, eikä siitä voi tällä hetkellä tehdä jälkitilausta.
Saatavana olevat korvaavat osat:

Samankaltainen

BUK7610-55AL,118
Nexperia USA Inc.
Varastossa: 4 681
Yksikköhinta : 3,39000 €
Tekniset tiedot

Samankaltainen

FDB088N08
onsemi
Varastossa: 240
Yksikköhinta : 3,06000 €
Tekniset tiedot

Samankaltainen

HUF75545S3ST
onsemi
Varastossa: 24 075
Yksikköhinta : 3,05000 €
Tekniset tiedot

Samankaltainen

IXTA90N055T2
IXYS
Varastossa: 0
Yksikköhinta : 1,27723 €
Tekniset tiedot

Samankaltainen

PSMN012-80BS,118
Nexperia USA Inc.
Varastossa: 5 122
Yksikköhinta : 2,07000 €
Tekniset tiedot

Samankaltainen

PSMN8R7-80BS,118
Nexperia USA Inc.
Varastossa: 1 533
Yksikköhinta : 2,19000 €
Tekniset tiedot

Samankaltainen

STB140NF55T4
STMicroelectronics
Varastossa: 1 625
Yksikköhinta : 2,99000 €
Tekniset tiedot

Samankaltainen

STB140NF75T4
STMicroelectronics
Varastossa: 2 032
Yksikköhinta : 3,90000 €
Tekniset tiedot

Samankaltainen

STB141NF55
STMicroelectronics
Varastossa: 0
Yksikköhinta : 1,04266 €
Tekniset tiedot

Samankaltainen

STB75NF75LT4
STMicroelectronics
Varastossa: 717
Yksikköhinta : 2,61000 €
Tekniset tiedot

Samankaltainen

STB75NF75T4
STMicroelectronics
Varastossa: 1 312
Yksikköhinta : 3,25000 €
Tekniset tiedot

Samankaltainen

STB85NF55T4
STMicroelectronics
Varastossa: 449
Yksikköhinta : 2,76000 €
Tekniset tiedot
Näytä kaikki korvaavat osat ja vertaile niitä
N-kanavatyyppi 75 V 75A (Tc) 170W (Tc) Kiinnitys pintaan D2PAK
Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IRF2807ZSPBF

DigiKeyn tuotenumero
IRF2807ZSPBF-ND
Valmistaja
Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero
IRF2807ZSPBF
Kuvaus
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus
N-kanavatyyppi 75 V 75A (Tc) 170W (Tc) Kiinnitys pintaan D2PAK
Tekniset tiedot
 Tekniset tiedot
Tuotteen ominaisuudet
Tyyppi
Kuvaus
Valitse kaikki
Kategoria
Valm.
Infineon Technologies
Sarja
HEXFET®
Pakkaustapa
Putki
Osan tila
Valmistus lopetettu Digi-Keyllä
FET-tyyppi
N-kanavatyyppi
Teknologia
MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)
75 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)
10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
9,4mOhm @ 53A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id
4V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds
3270 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (maks.)
170W (Tc)
Toimintalämpötila
-55°C – 175°C (TJ)
Luokka
-
Hyväksyntä
-
Asennustyyppi
Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus
D2PAK
Pakkaus / kotelo
TO-263-3, D2PAK (2 jalkaa + juotoskohta), TO-263AB
Tuotteita koskevat kysymykset ja vastaukset

Katso, mitä suunnittelijat kysyvät, tee kysymyksiä ja auta toisia DigiKeyn suunnitteluyhteisössä

0 varastossa
Koska tuotteen saanti on tilapäisesti rajoitettua, jälkitilaukset eivät ole mahdollisia eikä toimitusaikaa ole tällä hetkellä saatavilla. Näytä Korvaavat osat tai Vaihtoehtoiset pakkausmuodot.