Name: IRF1310NSTRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF1310NSTRLPBFTR-ND
Price: 3.20025 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IRF1310NSTRLPBF
DigiKeyn tuotenumero	IRF1310NSTRLPBFTR-ND - Rullattu teippi (TR) IRF1310NSTRLPBFCT-ND - Cut Tape (CT) IRF1310NSTRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IRF1310NSTRLPBF
Kuvaus	MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
Valmistajan vakio toimitusaika	28 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 100 V 42A (Tc) 3,8W (Ta), 160W (Tc) Kiinnitys pintaan D2PAK
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 4V @ 250µA
Valm. Infineon Technologies	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 110 nC @ 10 V
Sarja HEXFET®	Vgs (maks.) ±20V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 1900 pF @ 25 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 3,8W (Ta), 160W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 100 V	Valmistajan laitepakkaus D2PAK
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 42A (Tc)	Pakkaus / kotelo TO-263-3, D2PAK (2 jalkaa + juotoskohta), TO-263AB
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Päätuotenumero IRF1310
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 36mOhm @ 22A, 10V

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Varastossa: 6 951

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

* Kaikkiin Digi-Reel-tilauksiin lisätään lisämaksu 5,50 €.

Rullattu teippi (TR)