Name: IRF5210STRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF5210STRLPBFTR-ND
Price: 4.518 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IRF5210STRLPBF
DigiKeyn tuotenumero	IRF5210STRLPBFTR-ND - Rullattu teippi (TR) IRF5210STRLPBFCT-ND - Cut Tape (CT) IRF5210STRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IRF5210STRLPBF
Kuvaus	MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Valmistajan vakio toimitusaika	36 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 100 V 38A (Tc) 3,1W (Ta), 170W (Tc) Kiinnitys pintaan D2PAK
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IRF5210STRLPBF -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 4V @ 250µA
Valm. Infineon Technologies	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 230 nC @ 10 V
Sarja HEXFET®	Vgs (maks.) ±20V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 2780 pF @ 25 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 3,1W (Ta), 170W (Tc)
FET-tyyppi P-kanava	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 100 V	Valmistajan laitepakkaus D2PAK
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 38A (Tc)	Pakkaus / kotelo TO-263-3, D2PAK (2 jalkaa + juotoskohta), TO-263AB
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Päätuotenumero IRF5210
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 60mOhm @ 38A, 10V