Name: IQE030N06NM5CGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE030N06NM5CGSCATMA1TR-ND
Price: 4.02855 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IQE030N06NM5CGSCATMA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IQE030N06NM5CGSCATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-IQE030N06NM5CGSCATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IQE030N06NM5CGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IQE030N06NM5CGSCATMA1
Kuvaus	OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Valmistajan vakio toimitusaika	52 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 60 V 21A (Ta), 132A (Tc) 2,5W (Ta), 100W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-WHTFN-9-1
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IQE030N06NM5CGSCATMA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	OptiMOS™ 5
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	60 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	21A (Ta), 132A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	6V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	3mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	3,3V @ 50µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	49 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	3800 pF @ 30 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	2,5W (Ta), 100W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PG-WHTFN-9-1
Pakkaus / kotelo	9-PowerWDFN