IPP65R150CFDAAKSA1 Infineon Technologies | Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IPP65R150CFDAAKSA1
DigiKeyn tuotenumero	IPP65R150CFDAAKSA1-ND
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IPP65R150CFDAAKSA1
Kuvaus	MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220-3
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 650 V 22,4A (Tc) 195,3W (Tc) Läpivientiaukko PG-TO220-3
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IPP65R150CFDAAKSA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	CoolMOS™
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Vanhentunut
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	650 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	22,4A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	150mOhm @ 9,3A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4,5V @ 900µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	86 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	2340 pF @ 100 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	195,3W (Tc)
Toimintalämpötila	-40°C – 150°C (TJ)
Luokka	Autoteollisuus
Hyväksyntä	AEC-Q101
Asennustyyppi	Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus	PG-TO220-3
Pakkaus / kotelo	TO-220-3
Päätuotenumero	IPP65R150