Name: IPP65R125C7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPP65R125C7XKSA1-ND
Price: 5.15805 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IPP65R125C7XKSA1
DigiKeyn tuotenumero	IPP65R125C7XKSA1-ND
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IPP65R125C7XKSA1
Kuvaus	MOSFET N-CH 650V 18A TO220-3
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 650 V 18A (Tc) 101W (Tc) Läpivientiaukko PG-TO220-3
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IPP65R125C7XKSA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 4V @ 440µA
Valm. Infineon Technologies	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 35 nC @ 10 V
Sarja CoolMOS™ C7	Vgs (maks.) ±20V
Pakkaustapa Putki	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 1670 pF @ 400 V
Osan tila Viimeinen ostohetki	Tehohäviö (maks.) 101W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Läpivientiaukko
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 650 V	Valmistajan laitepakkaus PG-TO220-3
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 18A (Tc)	Pakkaus / kotelo TO-220-3
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Päätuotenumero IPP65R125
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 125mOhm @ 8,9A, 10V

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Korvaa (2)

Osanumero	Valmistaja	Saatavana oleva määrä	DigiKeyn tuotenumero	Yksikköhinta	Korvaava tyyppi
IPA65R125C7XKSA1	Infineon Technologies	212	IPA65R125C7XKSA1-ND	4,40000 €	MFR Recommended
SIHP30N60E-GE3	Vishay Siliconix	0	SIHP30N60E-GE3-ND	6,06000 €	Samankaltainen