Name: IPA65R125C7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPA65R125C7XKSA1-ND
Price: 5.522 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IPA65R125C7XKSA1
DigiKeyn tuotenumero	IPA65R125C7XKSA1-ND
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IPA65R125C7XKSA1
Kuvaus	MOSFET N-CH 650V 10A TO220-FP
Valmistajan vakio toimitusaika	17 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 650 V 10A (Tc) 32W (Tc) Läpivientiaukko PG-TO220-FP
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IPA65R125C7XKSA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 4V @ 440µA
Valm. Infineon Technologies	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 35 nC @ 10 V
Sarja CoolMOS™ C7	Vgs (maks.) ±20V
Pakkaustapa Putki	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 1670 pF @ 400 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 32W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Läpivientiaukko
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 650 V	Valmistajan laitepakkaus PG-TO220-FP
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 10A (Tc)	Pakkaus / kotelo TO-220-3, täysi pakkaus
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Päätuotenumero IPA65R
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 125mOhm @ 8,9A, 10V

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Varastossa: 212

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Putki